半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
4期
735-740
,共6页
王彦刚%许铭真%谭长华%段小蓉
王彥剛%許銘真%譚長華%段小蓉
왕언강%허명진%담장화%단소용
软击穿%超薄栅氧化层%类渗流导电
軟擊穿%超薄柵氧化層%類滲流導電
연격천%초박책양화층%류삼류도전
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流-电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.
研究瞭超薄柵氧化層(≤3.0nm)軟擊穿(soft breakdown,SBD)後的柵電流和襯底電流特性.提齣瞭一箇基于類滲流導電的SBD後柵電流和襯底電流的解析公式--類滲流導電公式.該公式能夠在較大的電壓範圍(-4～+3V)模擬氧化層SBD後的柵電流和襯底電流的電流-電壓特性,為超薄柵氧化層可靠性的研究提供瞭一箇較為簡便的公式.
연구료초박책양화층(≤3.0nm)연격천(soft breakdown,SBD)후적책전류화츤저전류특성.제출료일개기우류삼류도전적SBD후책전류화츤저전류적해석공식--류삼류도전공식.해공식능구재교대적전압범위(-4～+3V)모의양화층SBD후적책전류화츤저전류적전류-전압특성,위초박책양화층가고성적연구제공료일개교위간편적공식.
