固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
2期
179-182
,共4页
低噪声放大器%输入回波损耗%噪声系数
低譟聲放大器%輸入迴波損耗%譟聲繫數
저조성방대기%수입회파손모%조성계수
以一种经典的窄带低噪声放大器结构为基础,分析级联放大器的S参数,通过优化元件参数,获得了一种在3.6～4.7 GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器.采用标准的0.18μm RF CMOS工艺进行了设计和实现.芯片面积为0.6 mm×1.5 mm.测试结果表明:在3.6～4.7 GHz的范围内,该宽带低噪声放大器输入回波损耗小于-14dB;噪声系数小于2.8 dB,增益大于10 dB.在1.8 V电源下功耗约为45 mW.
以一種經典的窄帶低譟聲放大器結構為基礎,分析級聯放大器的S參數,通過優化元件參數,穫得瞭一種在3.6～4.7 GHz範圍內具有低輸入迴波損耗、低譟聲繫數的放大器.採用標準的0.18μm RF CMOS工藝進行瞭設計和實現.芯片麵積為0.6 mm×1.5 mm.測試結果錶明:在3.6～4.7 GHz的範圍內,該寬帶低譟聲放大器輸入迴波損耗小于-14dB;譟聲繫數小于2.8 dB,增益大于10 dB.在1.8 V電源下功耗約為45 mW.
이일충경전적착대저조성방대기결구위기출,분석급련방대기적S삼수,통과우화원건삼수,획득료일충재3.6～4.7 GHz범위내구유저수입회파손모、저조성계수적방대기.채용표준적0.18μm RF CMOS공예진행료설계화실현.심편면적위0.6 mm×1.5 mm.측시결과표명:재3.6～4.7 GHz적범위내,해관대저조성방대기수입회파손모소우-14dB;조성계수소우2.8 dB,증익대우10 dB.재1.8 V전원하공모약위45 mW.
