玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路
파리츤저상MIUC Poly-Si TFT현시구동전로
Display Driving Circuits Made with MIUC Poly-Si TFTs on Glass Substrate
  • 万方数据
    电子学报 전자학보
    ACTA ELECTRONICA SINICA
    2005年 8期 1349-1352 ,共4页

    吴春亚%孟志国%李娟%马海英%赵淑云%刘建平%熊绍珍%郭海成%王文

    오춘아%맹지국%리연%마해영%조숙운%류건평%웅소진%곽해성%왕문

    金属诱导单一方向横向晶化%多晶硅薄膜晶体管%显示驱动电路%全集成显示 金屬誘導單一方嚮橫嚮晶化%多晶硅薄膜晶體管%顯示驅動電路%全集成顯示
    금속유도단일방향횡향정화%다정규박막정체관%현시구동전로%전집성현시
    以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.
    이고성능적금속유도단일방향횡향정화다정규박막정체관(MIUC poly-Si TFT)위기출,연제출성능능만족AM-LCD화AM-OLED요구、판도화상소척촌괄배、제비공예화상소전로겸용적다정규TFT행소묘화렬구동전로.해행소묘전로공작전압위3.5-10V;당공작전압위5V、부재전용위22pf시,하강연약위150ns,상승연약위205ns,최고공작빈솔재1MHz이상;렬구동전로공작전압위3.5-8V;당공작전압위5V、부재전용위22pf시,상승연약위200ns,신호쇠감솔위15%(64μs소묘주기),최고공작빈솔체도4MHz.장해MIUC poly-Si TFT다정규행소묘、렬구동전로화유원선지전로집성도동일기판상,제비출상소수위80×RGB×60、동태현시효과량호적전집성형LCD병양품.
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