佛山陶瓷
彿山陶瓷
불산도자
FOSHAN CERAMICS
2005年
7期
9-13
,共5页
氮化硅%动力学%氧化
氮化硅%動力學%氧化
담화규%동역학%양화
本文采用氧化后再氧化的实验方法,通过对纳米Si3N4陶瓷试样氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了纳米Si3N4陶瓷的氧化机理.结果表明,Si3N4陶瓷的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(△W)2=Kpt.提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4氧化过程中的控制步骤;得出烧结添加剂或杂质对Si3N4陶瓷氧化速度的影响,是由于改变了氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生了变化的结论.
本文採用氧化後再氧化的實驗方法,通過對納米Si3N4陶瓷試樣氧化行為的研究和氧化動力學的分析,討論瞭納米Si3N4陶瓷的氧化機理.結果錶明,Si3N4陶瓷的氧化行為錶現為氧化增量隨時間的變化服從拋物線規律:(△W)2=Kpt.提齣瞭氧在氧化層中的嚮內擴散是Si3N4氧化過程中的控製步驟;得齣燒結添加劑或雜質對Si3N4陶瓷氧化速度的影響,是由于改變瞭氧化層的組成、結構,使氧在氧化層中的擴散速度髮生瞭變化的結論.
본문채용양화후재양화적실험방법,통과대납미Si3N4도자시양양화행위적연구화양화동역학적분석,토론료납미Si3N4도자적양화궤리.결과표명,Si3N4도자적양화행위표현위양화증량수시간적변화복종포물선규률:(△W)2=Kpt.제출료양재양화층중적향내확산시Si3N4양화과정중적공제보취;득출소결첨가제혹잡질대Si3N4도자양화속도적영향,시유우개변료양화층적조성、결구,사양재양화층중적확산속도발생료변화적결론.
