半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
6期
649-655
,共7页
黄卫东%孙志国%彩霞%罗乐%程兆年
黃衛東%孫誌國%綵霞%囉樂%程兆年
황위동%손지국%채하%라악%정조년
板上芯片%残余应力%有限元模拟%硅压阻传感器
闆上芯片%殘餘應力%有限元模擬%硅壓阻傳感器
판상심편%잔여응력%유한원모의%규압조전감기
用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布.在FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同.讨论了基板厚度及粘合胶厚度对残余应力的影响,表明采用陶瓷基板时增加粘合胶的厚度以降低残余应力来作为低应力封装的一种手段是可行的.硅压阻传感芯片测量结果与计算机模拟结果的比较表明,计算机模拟值与实验测量值比较接近,测量值的正负区间与模拟值的正负区间吻合.
用有限元模擬研究瞭闆上芯片固化後殘餘應力的分佈.在FR4及陶瓷分彆作基闆的兩種情況下,殘餘應力分佈最顯著的差異是等效應力分佈不同.討論瞭基闆厚度及粘閤膠厚度對殘餘應力的影響,錶明採用陶瓷基闆時增加粘閤膠的厚度以降低殘餘應力來作為低應力封裝的一種手段是可行的.硅壓阻傳感芯片測量結果與計算機模擬結果的比較錶明,計算機模擬值與實驗測量值比較接近,測量值的正負區間與模擬值的正負區間吻閤.
용유한원모의연구료판상심편고화후잔여응력적분포.재FR4급도자분별작기판적량충정황하,잔여응력분포최현저적차이시등효응력분포불동.토론료기판후도급점합효후도대잔여응력적영향,표명채용도자기판시증가점합효적후도이강저잔여응력래작위저응력봉장적일충수단시가행적.규압조전감심편측량결과여계산궤모의결과적비교표명,계산궤모의치여실험측량치비교접근,측량치적정부구간여모의치적정부구간문합.