微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
3期
203-206
,共4页
游淑珍%石艳玲%忻佩胜%朱自强%赖宗声
遊淑珍%石豔玲%忻珮勝%硃自彊%賴宗聲
유숙진%석염령%흔패성%주자강%뢰종성
多孔硅(PS)%阳极氧化%共平面波导(CPW)%插入损耗%有效介电常数
多孔硅(PS)%暘極氧化%共平麵波導(CPW)%插入損耗%有效介電常數
다공규(PS)%양겁양화%공평면파도(CPW)%삽입손모%유효개전상수
多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料.文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法.实验测试结果表明,在20 μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1～30 GHz范围内为1～40 dB/cm;而在70 μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7 dB/cm.通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70 μm多孔硅材料的多孔度约为65%.
多孔硅被認為是RF應用領域中較有潛力的襯底材料.文章利用多孔硅作襯底,製備瞭微型微波共平麵波導,採用多線方法計算齣該波導在多孔硅上的插入損耗和有效介電常數;提齣瞭通過多孔硅的相對介電常數來確定多孔度的方法.實驗測試結果錶明,在20 μm多孔硅上的波導,其插入損耗在1～30 GHz範圍內為1～40 dB/cm;而在70 μm多孔硅上製備的波導,其插入損耗在整箇測試頻段內不超過7 dB/cm.通過有效介電常數的計算,推算齣實驗製備的70 μm多孔硅材料的多孔度約為65%.
다공규피인위시RF응용영역중교유잠력적츤저재료.문장이용다공규작츤저,제비료미형미파공평면파도,채용다선방법계산출해파도재다공규상적삽입손모화유효개전상수;제출료통과다공규적상대개전상수래학정다공도적방법.실험측시결과표명,재20 μm다공규상적파도,기삽입손모재1～30 GHz범위내위1～40 dB/cm;이재70 μm다공규상제비적파도,기삽입손모재정개측시빈단내불초과7 dB/cm.통과유효개전상수적계산,추산출실험제비적70 μm다공규재료적다공도약위65%.
