电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2000年
5期
7-8
,共2页
周卫%福田芳雄%古屋一夫
週衛%福田芳雄%古屋一伕
주위%복전방웅%고옥일부
多孔硅%傅里叶变换红外光谱%扫描电子显微镜%湿法腐蚀%纳米晶
多孔硅%傅裏葉變換紅外光譜%掃描電子顯微鏡%濕法腐蝕%納米晶
다공규%부리협변환홍외광보%소묘전자현미경%습법부식%납미정
阳极氧化法制备的多孔硅层分别经1%HF、1%NH3/H2O2和0.05%NaOH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀,并用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对其变化进行了研究.腐蚀后多孔硅的表面形貌出现明显的刻蚀现象.红外吸收光谱表明, 在用1%NH3/H2O2溶液腐蚀时, 多孔硅层中Si-O键和Si-H键的强度增加, H-O键的强度下降; 用1%HF溶液和0.05%NaOH溶液的腐蚀结果正好相反.0.05%NaOH溶液对多孔硅层的腐蚀现象类似于强碱性溶液对单晶硅腐蚀表现出的各向异性, 对多孔硅层厚度的腐蚀速度比1%HF溶液的高.
暘極氧化法製備的多孔硅層分彆經1%HF、1%NH3/H2O2和0.05%NaOH三種溶液在室溫下進行濕法腐蝕,併用傅裏葉變換紅外光譜(FTIR)和掃描電子顯微鏡(SEM)對其變化進行瞭研究.腐蝕後多孔硅的錶麵形貌齣現明顯的刻蝕現象.紅外吸收光譜錶明, 在用1%NH3/H2O2溶液腐蝕時, 多孔硅層中Si-O鍵和Si-H鍵的彊度增加, H-O鍵的彊度下降; 用1%HF溶液和0.05%NaOH溶液的腐蝕結果正好相反.0.05%NaOH溶液對多孔硅層的腐蝕現象類似于彊堿性溶液對單晶硅腐蝕錶現齣的各嚮異性, 對多孔硅層厚度的腐蝕速度比1%HF溶液的高.
양겁양화법제비적다공규층분별경1%HF、1%NH3/H2O2화0.05%NaOH삼충용액재실온하진행습법부식,병용부리협변환홍외광보(FTIR)화소묘전자현미경(SEM)대기변화진행료연구.부식후다공규적표면형모출현명현적각식현상.홍외흡수광보표명, 재용1%NH3/H2O2용액부식시, 다공규층중Si-O건화Si-H건적강도증가, H-O건적강도하강; 용1%HF용액화0.05%NaOH용액적부식결과정호상반.0.05%NaOH용액대다공규층적부식현상유사우강감성용액대단정규부식표현출적각향이성, 대다공규층후도적부식속도비1%HF용액적고.
