半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
8期
792-797
,共6页
粒子探测器%GaAs%SchOttky势垒
粒子探測器%GaAs%SchOttky勢壘
입자탐측기%GaAs%SchOttky세루
双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV、剂量高达1000kGy的电子、500kGy的γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲线坚挺,反向漏电流最低为0.48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与X射线的照射量呈线性关系.该探测器在241Am(Ea＝5.48MeV)a粒子辐照下,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)发出的β粒子辐照下,探测器有最小的电离粒子谱.该探测器对光照也有明显的响应.
雙麵肖特基勢壘型GaAs粒子探測器由半絕緣砷化鎵材料製成,器件結構為金屬-半導體-金屬結構,該探測器能經受能量為1.5MeV、劑量高達1000kGy的電子、500kGy的γ射線、β粒子、X射線等粒子的輻照測試,輻照後器件擊穿麯線堅挺,反嚮漏電流最低為0.48μA.器件的另一特徵是其反嚮漏電流與X射線的照射量呈線性關繫.該探測器在241Am(Ea＝5.48MeV)a粒子輻照下,其最大的電荷收集率和能量分辯率分彆為45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)髮齣的β粒子輻照下,探測器有最小的電離粒子譜.該探測器對光照也有明顯的響應.
쌍면초특기세루형GaAs입자탐측기유반절연신화가재료제성,기건결구위금속-반도체-금속결구,해탐측기능경수능량위1.5MeV、제량고체1000kGy적전자、500kGy적γ사선、β입자、X사선등입자적복조측시,복조후기건격천곡선견정,반향루전류최저위0.48μA.기건적령일특정시기반향루전류여X사선적조사량정선성관계.해탐측기재241Am(Ea＝5.48MeV)a입자복조하,기최대적전하수집솔화능량분변솔분별위45%화7%.재유90Sr(Eβ=2.27MeV)발출적β입자복조하,탐측기유최소적전리입자보.해탐측기대광조야유명현적향응.
