北京航空航天大学学报
北京航空航天大學學報
북경항공항천대학학보
1999年
1期
96-99
,共4页
刘明%傅东锋%崔志燮%江兴流
劉明%傅東鋒%崔誌燮%江興流
류명%부동봉%최지섭%강흥류
光致发光%表面复合%量子效应%表面态
光緻髮光%錶麵複閤%量子效應%錶麵態
광치발광%표면복합%양자효응%표면태
将nc-Si:H薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢、氧含量,Raman谱、红外吸收谱、光致发光(PL).结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同,Raman谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响.用晶粒-表面模型对氧化引起的光致发光(PL) 蓝移进行了解释.
將nc-Si:H薄膜進行等離子和高溫氧化處理,測量瞭樣品的氫、氧含量,Raman譜、紅外吸收譜、光緻髮光(PL).結果錶明兩種氧化方式都將氧摻入薄膜中,但不同處理方式氧在薄膜中的鍵閤形式不同,Raman譜錶明氧化處理對薄膜中晶粒大小及晶態比沒有影響.用晶粒-錶麵模型對氧化引起的光緻髮光(PL) 藍移進行瞭解釋.
장nc-Si:H박막진행등리자화고온양화처리,측량료양품적경、양함량,Raman보、홍외흡수보、광치발광(PL).결과표명량충양화방식도장양참입박막중,단불동처리방식양재박막중적건합형식불동,Raman보표명양화처리대박막중정립대소급정태비몰유영향.용정립-표면모형대양화인기적광치발광(PL) 람이진행료해석.
