电网技术
電網技術
전망기술
POWER SYSTEM TECHNOLOGY
1998年
1期
11-12,16
,共3页
半导体消雷器%通流能力%防雷
半導體消雷器%通流能力%防雷
반도체소뢰기%통류능력%방뢰
本文对半导体消雷器的极限通流容量与雷电流释放的能量进行了比较,计算表明,半导体消雷器的通流容量,即使如文[1]所述的由10根单针通流容量为2.73J/Ω的半导体针并联也只有30C小型雷电流释放能量的1/33.雷击半导体针时,针管必然会发生热闪络,雷电流的绝大部分能量通过闪络通道释放,热闪络后的半导体针管已经损坏.作者还按文[1]所述方法进行了试验,试验结果与按电阻层体积估算的结果非常接近.证实了半导体消雷针的通流能力太小,遭雷击后不可避免地会发生断裂.
本文對半導體消雷器的極限通流容量與雷電流釋放的能量進行瞭比較,計算錶明,半導體消雷器的通流容量,即使如文[1]所述的由10根單針通流容量為2.73J/Ω的半導體針併聯也隻有30C小型雷電流釋放能量的1/33.雷擊半導體針時,針管必然會髮生熱閃絡,雷電流的絕大部分能量通過閃絡通道釋放,熱閃絡後的半導體針管已經損壞.作者還按文[1]所述方法進行瞭試驗,試驗結果與按電阻層體積估算的結果非常接近.證實瞭半導體消雷針的通流能力太小,遭雷擊後不可避免地會髮生斷裂.
본문대반도체소뢰기적겁한통류용량여뇌전류석방적능량진행료비교,계산표명,반도체소뢰기적통류용량,즉사여문[1]소술적유10근단침통류용량위2.73J/Ω적반도체침병련야지유30C소형뇌전류석방능량적1/33.뢰격반도체침시,침관필연회발생열섬락,뇌전류적절대부분능량통과섬락통도석방,열섬락후적반도체침관이경손배.작자환안문[1]소술방법진행료시험,시험결과여안전조층체적고산적결과비상접근.증실료반도체소뢰침적통류능력태소,조뢰격후불가피면지회발생단렬.
