沈阳工业大学学报
瀋暘工業大學學報
침양공업대학학보
JOURNAL OF SHENYANG POLYTECHNIC UNIVERSITY
2003年
2期
170-172
,共3页
线全刚%梁勇%杨柯%王淑兰
線全剛%樑勇%楊柯%王淑蘭
선전강%량용%양가%왕숙란
激光%制备%纳米%碳化硅
激光%製備%納米%碳化硅
격광%제비%납미%탄화규
以硅烷SiH4和乙炔C2H2为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积制各(LICVD)理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β-SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中含氧量低于1%.
以硅烷SiH4和乙炔C2H2為反應原料,採用激光誘導化學氣相沉積製各(LICVD)理想納米SiC粉體.用化學分析、X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)及比錶麵積(BET)等分析測試手段對粉體進行瞭錶徵,結果錶明粉體中SiC含量高于98%,平均粒徑為20nm,晶體結構為β-SiC,粉體產率大于200g/h,粉體中含氧量低于1%.
이규완SiH4화을결C2H2위반응원료,채용격광유도화학기상침적제각(LICVD)이상납미SiC분체.용화학분석、X사선연사(XRD)、투사전자현미경(TEM)급비표면적(BET)등분석측시수단대분체진행료표정,결과표명분체중SiC함량고우98%,평균립경위20nm,정체결구위β-SiC,분체산솔대우200g/h,분체중함양량저우1%.
