微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
1期
46-48
,共3页
集成电路%工艺芯片%工艺诱生缺陷%氧化诱生层错%弗兰克不全位错
集成電路%工藝芯片%工藝誘生缺陷%氧化誘生層錯%弗蘭剋不全位錯
집성전로%공예심편%공예유생결함%양화유생층착%불란극불전위착
调研了三条100～150 mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷.研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错.前二种缺陷存在于MOS电路,后一种存在于双极型电路.弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF),薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关.同时,提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径.
調研瞭三條100～150 mm集成電路生產線上IC芯片的工藝誘生缺陷.研究錶明,這些IC生產線上存在三種影響IC成品率的主要誘生缺陷,離子註入誘生弗蘭剋不全位錯,薄膜應力和雜質收縮應力引起的位錯和隔離擴散區的位錯.前二種缺陷存在于MOS電路,後一種存在于雙極型電路.弗蘭剋不全位錯起因于離子註入損傷誘生的氧化誘生層錯(OISF),薄膜應力和雜質收縮應力引起的位錯和隔離擴散區的位錯都與薄膜應力和高濃度替位雜質的收縮應力有關.同時,提齣瞭減少這幾類缺陷密度的工藝途徑.
조연료삼조100～150 mm집성전로생산선상IC심편적공예유생결함.연구표명,저사IC생산선상존재삼충영향IC성품솔적주요유생결함,리자주입유생불란극불전위착,박막응력화잡질수축응력인기적위착화격리확산구적위착.전이충결함존재우MOS전로,후일충존재우쌍겁형전로.불란극불전위착기인우리자주입손상유생적양화유생층착(OISF),박막응력화잡질수축응력인기적위착화격리확산구적위착도여박막응력화고농도체위잡질적수축응력유관.동시,제출료감소저궤류결함밀도적공예도경.
