光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2003年
2期
249-252
,共4页
李宝霞%汪韬%李晓婷%赛小锋%高鸿楷
李寶霞%汪韜%李曉婷%賽小鋒%高鴻楷
리보하%왕도%리효정%새소봉%고홍해
GaAs%碳掺杂%GaAs隧道结
GaAs%碳摻雜%GaAs隧道結
GaAs%탄참잡%GaAs수도결
利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联GaInP/GaAs/Ge 太阳能电池的隧道结.
利用低壓金屬有機化閤物汽相澱積(LP-MOCVD)繫統,通過調節生長參量和摻雜工藝,得到瞭晶格質量高、錶麵形貌好且空穴濃度從8×1017到4×1021可控的摻碳GaAs外延層,最後給齣一應用實例-用重摻碳的GaAs 材料做級聯GaInP/GaAs/Ge 太暘能電池的隧道結.
이용저압금속유궤화합물기상정적(LP-MOCVD)계통,통과조절생장삼량화참잡공예,득도료정격질량고、표면형모호차공혈농도종8×1017도4×1021가공적참탄GaAs외연층,최후급출일응용실례-용중참탄적GaAs 재료주급련GaInP/GaAs/Ge 태양능전지적수도결.
