物理学报
物理學報
물이학보
2002年
10期
2340-2343
,共4页
刘雪芹%王印月%甄聪棉%张静%杨映虎%郭永平
劉雪芹%王印月%甄聰棉%張靜%楊映虎%郭永平
류설근%왕인월%견총면%장정%양영호%곽영평
Si1-x-yGexCy薄膜%离子注入%固相外延
Si1-x-yGexCy薄膜%離子註入%固相外延
Si1-x-yGexCy박막%리자주입%고상외연
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变.
用等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)生長瞭200nm的SiGe薄膜,然後將C離子註入SiGe層,經兩步熱退火處理製備瞭Si1-x-yGexCy三元閤金半導體薄膜.應用盧瑟福揹散射(RBS),傅裏葉變換紅外光譜(FTIR)和高分辨率x射線衍射(HRXRD)研究瞭薄膜的結構和外延特性.髮現C原子基本處于替代位置,C原子的摻入緩解瞭SiGe層的壓應變.
용등리자체증강화학기상정적(PECVD)생장료200nm적SiGe박막,연후장C리자주입SiGe층,경량보열퇴화처리제비료Si1-x-yGexCy삼원합금반도체박막.응용로슬복배산사(RBS),부리협변환홍외광보(FTIR)화고분변솔x사선연사(HRXRD)연구료박막적결구화외연특성.발현C원자기본처우체대위치,C원자적참입완해료SiGe층적압응변.
