半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
957-961
,共5页
石瑞英%刘训春%钱永学%石华芬
石瑞英%劉訓春%錢永學%石華芬
석서영%류훈춘%전영학%석화분
改进的全局优化遗传算法%小信号等效电路%参数提取
改進的全跼優化遺傳算法%小信號等效電路%參數提取
개진적전국우화유전산법%소신호등효전로%삼수제취
将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度.在1～26.5GHz频率范围内,用改进的遗传算法提取了Ga0.49In0.51P/GaAs HBT交流小信号等效电路模型的全部16个参数,得到了令人满意的模拟与测量S参数的比较结果.
將遺傳算法用于HBT等效電路模型參數的提取併對其進行改進,改進後的遺傳算法自動優化遺傳、雜交和變異算子,節省瞭尋找最佳遺傳、雜交和變異概率的時間併提高瞭提取參數的速度.在1～26.5GHz頻率範圍內,用改進的遺傳算法提取瞭Ga0.49In0.51P/GaAs HBT交流小信號等效電路模型的全部16箇參數,得到瞭令人滿意的模擬與測量S參數的比較結果.
장유전산법용우HBT등효전로모형삼수적제취병대기진행개진,개진후적유전산법자동우화유전、잡교화변이산자,절성료심조최가유전、잡교화변이개솔적시간병제고료제취삼수적속도.재1～26.5GHz빈솔범위내,용개진적유전산법제취료Ga0.49In0.51P/GaAs HBT교류소신호등효전로모형적전부16개삼수,득도료령인만의적모의여측량S삼수적비교결과.
