人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2002年
3期
321-324
,共4页
宋雪梅%宋道颖%陈蔚忠%芦奇力%冯贞健%鲍旭红%邓金祥%陈光华
宋雪梅%宋道穎%陳蔚忠%蘆奇力%馮貞健%鮑旭紅%鄧金祥%陳光華
송설매%송도영%진위충%호기력%풍정건%포욱홍%산금상%진광화
MWECR CVD%α-Si:H薄膜%IR分析%高斯函数拟合
MWECR CVD%α-Si:H薄膜%IR分析%高斯函數擬閤
MWECR CVD%α-Si:H박막%IR분석%고사함수의합
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
應用微波電子迴鏇共振化學氣相沉積(MWECR CVD)方法,在較高速度下沉積瞭α-Si:H薄膜,用FTIR紅外譜儀研究瞭α-Si:H薄膜的結構特性隨H2/SiH4、沉積溫度和沉積速率變化關繫,併對2000cm-1附近的特徵吸收峰用高斯函數進行瞭擬閤分析,穫得瞭沉積高質量α-Si:H薄膜的最佳工藝條件.
응용미파전자회선공진화학기상침적(MWECR CVD)방법,재교고속도하침적료α-Si:H박막,용FTIR홍외보의연구료α-Si:H박막적결구특성수H2/SiH4、침적온도화침적속솔변화관계,병대2000cm-1부근적특정흡수봉용고사함수진행료의합분석,획득료침적고질량α-Si:H박막적최가공예조건.
