红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2002年
3期
23-26
,共4页
近红外激光%缺陷检测%散射%光强分布分析%特征提取
近紅外激光%缺陷檢測%散射%光彊分佈分析%特徵提取
근홍외격광%결함검측%산사%광강분포분석%특정제취
提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法.在研究广义洛仑兹-米氏理论(Generalized Lorenz-Mie Theory)的基础上,通过对理论上散射光强分布的分析,近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提取为判定半导体材料缺陷大小的判据,依据这一判据,可以快速的判定微体缺陷的大小.并通过对GaAs样品进行了实验研究,证明了该方法和判据的有效性.
提齣瞭利用近紅外激光散射光彊分佈分析來檢測半導體材料內部微體缺陷的檢測方法.在研究廣義洛崙玆-米氏理論(Generalized Lorenz-Mie Theory)的基礎上,通過對理論上散射光彊分佈的分析,近紅外激光散射光彊分佈空間FFT的截止頻率被提取為判定半導體材料缺陷大小的判據,依據這一判據,可以快速的判定微體缺陷的大小.併通過對GaAs樣品進行瞭實驗研究,證明瞭該方法和判據的有效性.
제출료이용근홍외격광산사광강분포분석래검측반도체재료내부미체결함적검측방법.재연구엄의락륜자-미씨이론(Generalized Lorenz-Mie Theory)적기출상,통과대이론상산사광강분포적분석,근홍외격광산사광강분포공간FFT적절지빈솔피제취위판정반도체재료결함대소적판거,의거저일판거,가이쾌속적판정미체결함적대소.병통과대GaAs양품진행료실험연구,증명료해방법화판거적유효성.
