物理学报
物理學報
물이학보
2001年
8期
1574-1579
,共6页
丁瑞钦%王浩%W.F.LAU%W.Y.Cheung%S.P.WONG%王宁娟%于英敏
丁瑞欽%王浩%W.F.LAU%W.Y.Cheung%S.P.WONG%王寧娟%于英敏
정서흠%왕호%W.F.LAU%W.Y.Cheung%S.P.WONG%왕저연%우영민
InP%纳米晶粒%微观结构%光学性质
InP%納米晶粒%微觀結構%光學性質
InP%납미정립%미관결구%광학성질
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO2复合薄膜，并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明，复合薄膜中InP和SiO2的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2O3并得到了纯InP/SiO2纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强.
應用射頻磁控共濺射方法在石英玻璃和拋光硅片上製備瞭InP/SiO2複閤薄膜，併在幾種條件下對這些薄膜進行退火.X射線光電子能譜和盧瑟福揹散射實驗結果錶明，複閤薄膜中InP和SiO2的化學組分都大體上符閤化學計量配比.X射線衍射和激光喇曼譜實驗結果都證實瞭複閤薄膜中形成瞭InP納米晶粒.燐氣氛保護下的高溫(520℃)退火可以消除複閤薄膜中殘存的In和In2O3併得到瞭純InP/SiO2納米複閤薄膜.實驗觀察到瞭室溫下納米複閤薄膜的明顯的光學吸收邊藍移現象和光學非線性的極大增彊.
응용사빈자공공천사방법재석영파리화포광규편상제비료InP/SiO2복합박막，병재궤충조건하대저사박막진행퇴화.X사선광전자능보화로슬복배산사실험결과표명，복합박막중InP화SiO2적화학조분도대체상부합화학계량배비.X사선연사화격광나만보실험결과도증실료복합박막중형성료InP납미정립.린기분보호하적고온(520℃)퇴화가이소제복합박막중잔존적In화In2O3병득도료순InP/SiO2납미복합박막.실험관찰도료실온하납미복합박막적명현적광학흡수변람이현상화광학비선성적겁대증강.
