反应烧结SiC材料的高温氧化行为研究
반응소결SiC재료적고온양화행위연구
High temperature oxidation behavior of reaction-bonded silicon carbide
  • 万方数据
    耐火材料 내화재료
    REFRACTORIES
    2001年 5期 270-272 ,共3页

    宁向梅%高积强

    저향매%고적강

    SiC%高温氧化 SiC%高溫氧化
    SiC%고온양화
    研究了反应烧结SiC材料在1100℃空气中的高温氧化行为.结果表明:反应烧结SiC在1100℃的氧化动力学曲线符合抛物线规律:材料的氧化受O2和CO在玻璃态硅酸盐中的扩散所控制;材料中的杂质元素降低了SiO2氧化膜的粘度,促进了O2和CO在氧化膜中的扩散.
    연구료반응소결SiC재료재1100℃공기중적고온양화행위.결과표명:반응소결SiC재1100℃적양화동역학곡선부합포물선규률:재료적양화수O2화CO재파리태규산염중적확산소공제;재료중적잡질원소강저료SiO2양화막적점도,촉진료O2화CO재양화막중적확산.
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