电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2001年
11期
1530-1532
,共3页
陶蕤%王志功%谢婷婷%陈海涛
陶蕤%王誌功%謝婷婷%陳海濤
도유%왕지공%사정정%진해도
CMOS工艺%低噪声放大器%螺旋电感
CMOS工藝%低譟聲放大器%螺鏇電感
CMOS공예%저조성방대기%라선전감
随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能.越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35 μm CMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器.放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成.在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.
隨著特徵呎吋的不斷減小,深亞微米CMOS工藝其MOSFET的特徵頻率已經達到50GHz以上,使得利用CMOS工藝實現GHz頻段的高頻模擬集成電路成為可能.越來越多的射頻工程師開始利用先進的CMOS工藝設計射頻集成電路,本文給齣瞭一箇利用0.35 μm CMOS工藝實現的2.9GHz單片低譟聲放大器.放大器採用片內集成的螺鏇電感實現低譟聲和單片集成.在3伏電源下,工作電流為8mA,功率增益大于10dB,輸入反射小于-12dB.
수착특정척촌적불단감소,심아미미CMOS공예기MOSFET적특정빈솔이경체도50GHz이상,사득이용CMOS공예실현GHz빈단적고빈모의집성전로성위가능.월래월다적사빈공정사개시이용선진적CMOS공예설계사빈집성전로,본문급출료일개이용0.35 μm CMOS공예실현적2.9GHz단편저조성방대기.방대기채용편내집성적라선전감실현저조성화단편집성.재3복전원하,공작전류위8mA,공솔증익대우10dB,수입반사소우-12dB.
