氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用
담잡질대직랍단정규중위착적작용
Effects of Nitrogen on Dislocations in CZ-Silicon
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2001年 11期 1401-1405 ,共5页

    李东升%杨德仁%朱爱平%黄笑容%王淦%张锦心%李立本%阙端麟

    리동승%양덕인%주애평%황소용%왕감%장금심%리립본%궐단린

    硅单晶%位错%氮 硅單晶%位錯%氮
    규단정%위착%담
    通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶(CZSi).同时指出,NCZSi的位错激活能比CZSi的要高,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较CZSi快,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理.
    통과상온하압흔지후적고온열처리실험,연구료참담직랍규단정(NCZSi)중담잡질대위착활이적정찰작용,이급소성변형능재열처리과정중통과위착적활이석방적궤리.실험결과표명담잡질대위착유착교강적정찰작용,사참담직랍규단정중적위착재동일온도하열처리시적활이거리균소우보통직랍규단정(CZSi).동시지출,NCZSi적위착격활능비CZSi적요고,NCZSi중소성변형능통과위착활이석방교CZSi쾌,병토론료압흔조성적소성변형능통과위착적활이이석방적가능궤리.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문