InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
InGaN양자점적유도생장화발광특성연구
Induced Growth and Optical Property Study of InGaN Quantum Dots
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2003年 4期 380-384 ,共5页

    李昱峰%韩培德%陈振%黎大兵%王占国%刘祥林%陆大成%王晓晖%汪度

    리욱봉%한배덕%진진%려대병%왕점국%류상림%륙대성%왕효휘%왕도

    InGaN%量子点%诱导生长%微观形貌%发光 InGaN%量子點%誘導生長%微觀形貌%髮光
    InGaN%양자점%유도생장%미관형모%발광
    降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上.在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布.在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点.通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2.室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料.这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件.
    강저InGaN적유수시제고GaN기발광기건발광효솔적일충비상유효적방법,본문적공작주요집중재고밀도InGaN양자점적생장화분석상.재MOCVD설비상,경과둔화화저온량개특수공예조건,재고온GaN표면생장료일층저온도상GaN,형성표면형모적기복,진이도치표면응력적불균균분포.재저일층저온도상GaN적유도성작용하생장병형성InGaN양자점.통과원자력현미경、투사전자현미경화광치발광보대기미관형모화광학성질진행료관찰화연구.종원자력현미경이급투사전자현미경관찰득도적결과표명:InGaN양자점위평균직경약30nm、고도약25nm、분포교균균적원추,기밀도약1011cm-2.실온하,InGaN양자점재료적PL보강도대대초출상동조건생장적InGaN박막재료.저사현상표명,용InGaN양자점대체보통InGaN박막,유망획득발광효솔경고적GaN기발광기건.
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