半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
56-59
,共4页
黄树来%马瑾%刘晓梅%马洪磊%孙征%张德恒
黃樹來%馬瑾%劉曉梅%馬洪磊%孫徵%張德恆
황수래%마근%류효매%마홍뢰%손정%장덕항
透明导电膜%ZnO-SnO2%射频磁控溅射
透明導電膜%ZnO-SnO2%射頻磁控濺射
투명도전막%ZnO-SnO2%사빈자공천사
在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上制备出ZnO-SnO2透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.27×10-3Ω*cm,载流子浓度为4.3×1019cm-3、霍尔迁移率为20.5cm2/(V*s),在可见光范围内的平均透过率达到了90%.
在室溫下,採用射頻磁控濺射法在7059玻璃襯底上製備齣ZnO-SnO2透明導電薄膜.製備的薄膜為非晶結構,併且薄膜的電阻率彊烈地依賴于濺射氣體中的氧分壓.薄膜的最小電阻率為7.27×10-3Ω*cm,載流子濃度為4.3×1019cm-3、霍爾遷移率為20.5cm2/(V*s),在可見光範圍內的平均透過率達到瞭90%.
재실온하,채용사빈자공천사법재7059파리츤저상제비출ZnO-SnO2투명도전박막.제비적박막위비정결구,병차박막적전조솔강렬지의뢰우천사기체중적양분압.박막적최소전조솔위7.27×10-3Ω*cm,재류자농도위4.3×1019cm-3、곽이천이솔위20.5cm2/(V*s),재가견광범위내적평균투과솔체도료90%.
