功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
2期
155-159
,共5页
陈军%辛煜%许圣华%宁兆元%陆新华
陳軍%辛煜%許聖華%寧兆元%陸新華
진군%신욱%허골화%저조원%륙신화
多层膜%氟化非晶碳膜%介电常数%ECR-CVD
多層膜%氟化非晶碳膜%介電常數%ECR-CVD
다층막%불화비정탄막%개전상수%ECR-CVD
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx多层膜.傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实.热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8%.实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料.
使用80%Ar稀釋的SiH4,O2,CHF3和CH4作為前驅氣體,利用微波電子迴鏇共振等離子體化學氣相沉積(ECR-CVD)方法製備瞭SiOx/a-C:F/SiOx多層膜.傅裏葉變換紅外測試結果錶明瞭多層膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O鍵,同時由于器壁的吸附效應,膜中還存在少量的Si-C和Si-F鍵,這些鍵的存在從x射線光電子能譜的深層剖析結果得到瞭證實.熱退火的結果錶明瞭薄膜的紅外結構沒有髮生太大的變化,薄膜的介電常數經過400℃的退火後僅上升瞭8%.實驗結果錶明瞭ECR-CVD製備的SiOx/a-C:F/SiOx多層膜可以成為超大規模集成電路中層間絕緣層的候選材料.
사용80%Ar희석적SiH4,O2,CHF3화CH4작위전구기체,이용미파전자회선공진등리자체화학기상침적(ECR-CVD)방법제비료SiOx/a-C:F/SiOx다층막.부리협변환홍외측시결과표명료다층막중존재대량적C-F,C=C,Si-O건,동시유우기벽적흡부효응,막중환존재소량적Si-C화Si-F건,저사건적존재종x사선광전자능보적심층부석결과득도료증실.열퇴화적결과표명료박막적홍외결구몰유발생태대적변화,박막적개전상수경과400℃적퇴화후부상승료8%.실험결과표명료ECR-CVD제비적SiOx/a-C:F/SiOx다층막가이성위초대규모집성전로중층간절연층적후선재료.
