电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2004年
3期
242-246
,共5页
肖清华%屠海令%邵贝羚%王敬
肖清華%屠海令%邵貝羚%王敬
초청화%도해령%소패령%왕경
硅%氢%离子注入%高分辨电子显微术(HREM)%片状缺陷
硅%氫%離子註入%高分辨電子顯微術(HREM)%片狀缺陷
규%경%리자주입%고분변전자현미술(HREM)%편상결함
离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径.本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化.实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷.片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0.084nm.实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带预部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大.
離子註入氫是改善硅材料性能,特彆是實現硅片薄層剝離的重要途徑.本文利用高分辨率電鏡對註氫硅片的橫截麵樣品進行瞭研究,觀察瞭片狀缺陷的結構特徵,分析瞭片狀缺陷呎吋和間距在縱深方嚮的變化.實驗髮現,沿著平行于正錶麵的(111)片狀缺陷是註氫硅中的重要缺陷.片狀缺陷的實質是四層晶麵的應變,造成晶格膨脹約0.084nm.實驗還髮現片狀缺陷的呎吋和間距隨深度變化,在損傷帶預部和中間小,而在損傷帶底部附近明顯增大.
리자주입경시개선규재료성능,특별시실현규편박층박리적중요도경.본문이용고분변솔전경대주경규편적횡절면양품진행료연구,관찰료편상결함적결구특정,분석료편상결함척촌화간거재종심방향적변화.실험발현,연착평행우정표면적(111)편상결함시주경규중적중요결함.편상결함적실질시사층정면적응변,조성정격팽창약0.084nm.실험환발현편상결함적척촌화간거수심도변화,재손상대예부화중간소,이재손상대저부부근명현증대.
