计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2005年
3期
245-250
,共6页
王平%杨银堂%屈汉章%杨燕%李跃进%贾护军
王平%楊銀堂%屈漢章%楊燕%李躍進%賈護軍
왕평%양은당%굴한장%양연%리약진%가호군
系综Monte Carlo法%碳化硅%中性杂质散射%电子迁移率%电子漂移速度
繫綜Monte Carlo法%碳化硅%中性雜質散射%電子遷移率%電子漂移速度
계종Monte Carlo법%탄화규%중성잡질산사%전자천이솔%전자표이속도
利用系综Monte Carlo法研究了2H-,4H-和6H SiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H-SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为1.0×106V·cm-1时,4H-Sic电子横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm·s-1,6H-Sic接近3.0×107cm·s-1.
利用繫綜Monte Carlo法研究瞭2H-,4H-和6H SiC的電子輸運特性.在模擬中攷慮瞭對其輸運過程有著重要影響的聲學聲子形變勢散射、極化光學聲子散射、穀間聲子散射、電離雜質散射以及中性雜質散射.通過計算,穫得瞭低場下這幾種不同SiC多型電子遷移率同溫度的關繫,併以4H-SiC為例,重點分析瞭中性雜質散射的影響.最後對高場下電子漂移速度的穩態和瞬態變化規律進行瞭研究.將模擬結果同已有的實驗數據進行瞭比較,髮現噹階躍電場彊度為1.0×106V·cm-1時,4H-Sic電子橫嚮瞬態速度峰值接近3.3×107cm·s-1,6H-Sic接近3.0×107cm·s-1.
이용계종Monte Carlo법연구료2H-,4H-화6H SiC적전자수운특성.재모의중고필료대기수운과정유착중요영향적성학성자형변세산사、겁화광학성자산사、곡간성자산사、전리잡질산사이급중성잡질산사.통과계산,획득료저장하저궤충불동SiC다형전자천이솔동온도적관계,병이4H-SiC위례,중점분석료중성잡질산사적영향.최후대고장하전자표이속도적은태화순태변화규률진행료연구.장모의결과동이유적실험수거진행료비교,발현당계약전장강도위1.0×106V·cm-1시,4H-Sic전자횡향순태속도봉치접근3.3×107cm·s-1,6H-Sic접근3.0×107cm·s-1.
