人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
3期
657-661,665
,共6页
邓荣斌%王茺%陈寒娴%杨宇
鄧榮斌%王茺%陳寒嫻%楊宇
산영빈%왕충%진한한%양우
硅晶化%溅射功率%Ta缓冲层%晶化率
硅晶化%濺射功率%Ta緩遲層%晶化率
규정화%천사공솔%Ta완충층%정화솔
利用射频磁控溅射技术,在生长了Ta缓冲层的石英玻璃衬底上采用不同溅射功率下制备了一系列的硅薄膜样品,用拉曼光谱和X射线衍射表征了薄膜的结晶性随溅射功率的变化情况.实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶粒沿Si(311)面呈柱状生长,功率升高到80 W时薄膜的晶化率达到75.4%,薄膜为典型的微晶结构.继续增加功率,薄膜的结晶性变差,晶化率下降,在60～120 W之间存在一个优化理想的射频溅射功率,在此功率下生长的薄膜样品的结晶性最高.本文还尝试解释了Ta缓冲层在Si晶化过程中的作用.
利用射頻磁控濺射技術,在生長瞭Ta緩遲層的石英玻璃襯底上採用不同濺射功率下製備瞭一繫列的硅薄膜樣品,用拉曼光譜和X射線衍射錶徵瞭薄膜的結晶性隨濺射功率的變化情況.實驗結果錶明:隨著濺射功率的增加,薄膜逐漸由非晶嚮微晶過渡,晶粒沿Si(311)麵呈柱狀生長,功率升高到80 W時薄膜的晶化率達到75.4%,薄膜為典型的微晶結構.繼續增加功率,薄膜的結晶性變差,晶化率下降,在60～120 W之間存在一箇優化理想的射頻濺射功率,在此功率下生長的薄膜樣品的結晶性最高.本文還嘗試解釋瞭Ta緩遲層在Si晶化過程中的作用.
이용사빈자공천사기술,재생장료Ta완충층적석영파리츤저상채용불동천사공솔하제비료일계렬적규박막양품,용랍만광보화X사선연사표정료박막적결정성수천사공솔적변화정황.실험결과표명:수착천사공솔적증가,박막축점유비정향미정과도,정립연Si(311)면정주상생장,공솔승고도80 W시박막적정화솔체도75.4%,박막위전형적미정결구.계속증가공솔,박막적결정성변차,정화솔하강,재60～120 W지간존재일개우화이상적사빈천사공솔,재차공솔하생장적박막양품적결정성최고.본문환상시해석료Ta완충층재Si정화과정중적작용.
