半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
9期
863-867
,共5页
部分耗尽%绝缘体上硅%电离总剂量辐照%射频%增益
部分耗儘%絕緣體上硅%電離總劑量輻照%射頻%增益
부분모진%절연체상규%전리총제량복조%사빈%증익
基于抗辐照加固0.35μm PDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响.在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响;在其交流工作模式下,分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效/稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响.试验结果表明,与同类非加固工艺器件相比,此种PDSOI RF NMOS抗辐照性能更好,其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小,并且可获得截止频率22.39 GHz和最高振荡频率29.19 GHz.
基于抗輻照加固0.35μm PDSOI CMOS工藝製作瞭RF NMOS器件,研究瞭電離總劑量輻照對不同體接觸結構、柵結構器件性能的影響.在其靜態工作模式下,分彆攷慮瞭輻照對器件轉移特性、洩漏電流、跨導及輸齣特性的影響;在其交流工作模式下,分彆攷慮瞭輻照對其交流小信號電流增益、最大有效/穩定增益、截止頻率和最高震盪頻率的影響.試驗結果錶明,與同類非加固工藝器件相比,此種PDSOI RF NMOS抗輻照性能更好,其中以LBBC和LTS型體接觸器件受電離總劑量輻照影響最小,併且可穫得截止頻率22.39 GHz和最高振盪頻率29.19 GHz.
기우항복조가고0.35μm PDSOI CMOS공예제작료RF NMOS기건,연구료전리총제량복조대불동체접촉결구、책결구기건성능적영향.재기정태공작모식하,분별고필료복조대기건전이특성、설루전류、과도급수출특성적영향;재기교류공작모식하,분별고필료복조대기교류소신호전류증익、최대유효/은정증익、절지빈솔화최고진탕빈솔적영향.시험결과표명,여동류비가고공예기건상비,차충PDSOI RF NMOS항복조성능경호,기중이LBBC화LTS형체접촉기건수전리총제량복조영향최소,병차가획득절지빈솔22.39 GHz화최고진탕빈솔29.19 GHz.
