微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
1期
143-145,149
,共4页
林晓玲%刘建%章晓文%侯通贤%姚若河
林曉玲%劉建%章曉文%侯通賢%姚若河
림효령%류건%장효문%후통현%요약하
化学机械抛光%Cu互连%工艺缺陷%金属残留
化學機械拋光%Cu互連%工藝缺陷%金屬殘留
화학궤계포광%Cu호련%공예결함%금속잔류
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析.由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效.必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求.
探討瞭Cu化學機械拋光(CMP)工藝引起Cu互連器件失效的原因以及對可靠性的影響,對Cu CMP工藝缺陷導緻器件失效的案例進行分析.由于CMP的技術特點,不可避免地會產生一些工藝缺陷和工藝誤差,從而引起器件失效.必鬚根據標準要求,齣廠或封裝前對圓片進行芯片功能參數測試和嚴格的鏡檢,以便在封裝前剔除存在潛在工藝缺陷的芯片,達到既定可靠性要求.
탐토료Cu화학궤계포광(CMP)공예인기Cu호련기건실효적원인이급대가고성적영향,대Cu CMP공예결함도치기건실효적안례진행분석.유우CMP적기술특점,불가피면지회산생일사공예결함화공예오차,종이인기기건실효.필수근거표준요구,출엄혹봉장전대원편진행심편공능삼수측시화엄격적경검,이편재봉장전척제존재잠재공예결함적심편,체도기정가고성요구.
