材料保护
材料保護
재료보호
MATERIALS PROTECTION
2003年
5期
48-50
,共3页
马国佳%吴志猛%李新%邓新绿%徐军%唐祯安
馬國佳%吳誌猛%李新%鄧新綠%徐軍%唐禎安
마국가%오지맹%리신%산신록%서군%당정안
类金刚石%等离子源注入%化学键
類金剛石%等離子源註入%化學鍵
류금강석%등리자원주입%화학건
用等离子体源注入(PSII)在Si(100)上制备类金刚石膜,放电气体采用CH4, 用微波电子回旋共振(ECR)产生等离子体.将-20～-30 kV的高压加在衬底上,来提高离子的能量.通过Raman光谱和FT-IR光谱检测了类金刚石膜的化学组成及状态,并对其机械性能和表面形貌进行了检测.结果显示,硅片硬度和摩擦因数得到了改善,用PSII能够制备出性能优良的膜,可以将其应用到微电子器件(MEMS)上去.
用等離子體源註入(PSII)在Si(100)上製備類金剛石膜,放電氣體採用CH4, 用微波電子迴鏇共振(ECR)產生等離子體.將-20～-30 kV的高壓加在襯底上,來提高離子的能量.通過Raman光譜和FT-IR光譜檢測瞭類金剛石膜的化學組成及狀態,併對其機械性能和錶麵形貌進行瞭檢測.結果顯示,硅片硬度和摩抆因數得到瞭改善,用PSII能夠製備齣性能優良的膜,可以將其應用到微電子器件(MEMS)上去.
용등리자체원주입(PSII)재Si(100)상제비류금강석막,방전기체채용CH4, 용미파전자회선공진(ECR)산생등리자체.장-20～-30 kV적고압가재츤저상,래제고리자적능량.통과Raman광보화FT-IR광보검측료류금강석막적화학조성급상태,병대기궤계성능화표면형모진행료검측.결과현시,규편경도화마찰인수득도료개선,용PSII능구제비출성능우량적막,가이장기응용도미전자기건(MEMS)상거.
