功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
1期
14-18
,共5页
冯贞健%邢光建%陈光华%于春娜%荣延栋
馮貞健%邢光建%陳光華%于春娜%榮延棟
풍정건%형광건%진광화%우춘나%영연동
c-BN薄膜%粘附性%两步法
c-BN薄膜%粘附性%兩步法
c-BN박막%점부성%량보법
用常规射频(RF)溅射系统,采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c-BN)薄膜.沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步,当由第一步变为第二步时,工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体,衬底温度和偏压也降为较低的值.对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析,对最后沉积的薄膜进行了XPS分析.结果表明:采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c-BN薄膜内应力较之常规方法减小约11.3GPa,薄膜的B、N原子之比为1.01,c-BN的体积分数为88%,薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象.文中还讨论了c-BN薄膜的综合生长机制.
用常規射頻(RF)濺射繫統,採用兩步法在Si(111)襯底上製備齣較高粘附性的立方氮化硼(c-BN)薄膜.沉積過程分為成覈(第一步)和生長(第二步)兩步,噹由第一步變為第二步時,工作氣體由Ar氣變為Ar和N2的混閤氣體,襯底溫度和偏壓也降為較低的值.對不同生長階段的薄膜進行瞭SEM、FTIR分析,對最後沉積的薄膜進行瞭XPS分析.結果錶明:採用兩步法在Si(111)襯底上沉積的c-BN薄膜內應力較之常規方法減小約11.3GPa,薄膜的B、N原子之比為1.01,c-BN的體積分數為88%,薄膜置于自然環境中6箇月尚未有剝離現象.文中還討論瞭c-BN薄膜的綜閤生長機製.
용상규사빈(RF)천사계통,채용량보법재Si(111)츤저상제비출교고점부성적립방담화붕(c-BN)박막.침적과정분위성핵(제일보)화생장(제이보)량보,당유제일보변위제이보시,공작기체유Ar기변위Ar화N2적혼합기체,츤저온도화편압야강위교저적치.대불동생장계단적박막진행료SEM、FTIR분석,대최후침적적박막진행료XPS분석.결과표명:채용량보법재Si(111)츤저상침적적c-BN박막내응력교지상규방법감소약11.3GPa,박막적B、N원자지비위1.01,c-BN적체적분수위88%,박막치우자연배경중6개월상미유박리현상.문중환토론료c-BN박막적종합생장궤제.
