高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2005年
9期
1598-1602
,共5页
延玺%吴福丽%刘芸%李加冕%郑泽宝%闫会卿%司书峰
延璽%吳福麗%劉蕓%李加冕%鄭澤寶%閆會卿%司書峰
연새%오복려%류예%리가면%정택보%염회경%사서봉
5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐%晶体结构%抗氧化%循环伏安法
5,3',5'-三磺痠基-2,3,4,4'-四羥基脫氧安息香三鈉鹽%晶體結構%抗氧化%循環伏安法
5,3',5'-삼광산기-2,3,4,4'-사간기탈양안식향삼납염%정체결구%항양화%순배복안법
合成了水溶性很好的5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐(TTDB), 采用IR、 UV、 1H NMR和元素分析对其结构进行了表征, 并利用X射线单晶衍射仪测定了该化合物的晶体结构. 使用荧光光谱法检测了化合物对羟基自由基的清除作用. 用循环伏安法探讨了化合物的电化学性质. 实验结果表明, 5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐[C14H17Na3O18S3]属于单斜晶系, 空间群C2/c, a=1.422 3(4) nm, b=2.432 7(8) nm, c=1.359 6(4) nm, α=90°, β=113.044(5)°, γ=90°, Z=8, V=4.329(2) nm3, Dc=1.925 Mg/m3, F(000)=2 568, Mr=627.43, R1=0.095 0, wR2=0.264 8. TTDB的抗羟基自由基的氧化作用优于其相应的脱氧安息香THDB, 前者清除羟基自由基的半数有效浓度(EC50)为47.3 μmol/L, 而后者的EC50则为53.1 μmol/L. 电化学研究结果表明, THDB和TTDB的氧化还原过程有所差异, 前者负扫时在-1.016和-1.228 V处出现两个还原峰, 正扫时在0.219 V处出现一个氧化峰, 但后者负扫时仅在-0.999 V出现一个还原峰, 正扫时在0.193 V出现一个氧化峰.
閤成瞭水溶性很好的5,3',5'-三磺痠基-2,3,4,4'-四羥基脫氧安息香三鈉鹽(TTDB), 採用IR、 UV、 1H NMR和元素分析對其結構進行瞭錶徵, 併利用X射線單晶衍射儀測定瞭該化閤物的晶體結構. 使用熒光光譜法檢測瞭化閤物對羥基自由基的清除作用. 用循環伏安法探討瞭化閤物的電化學性質. 實驗結果錶明, 5,3',5'-三磺痠基-2,3,4,4'-四羥基脫氧安息香三鈉鹽[C14H17Na3O18S3]屬于單斜晶繫, 空間群C2/c, a=1.422 3(4) nm, b=2.432 7(8) nm, c=1.359 6(4) nm, α=90°, β=113.044(5)°, γ=90°, Z=8, V=4.329(2) nm3, Dc=1.925 Mg/m3, F(000)=2 568, Mr=627.43, R1=0.095 0, wR2=0.264 8. TTDB的抗羥基自由基的氧化作用優于其相應的脫氧安息香THDB, 前者清除羥基自由基的半數有效濃度(EC50)為47.3 μmol/L, 而後者的EC50則為53.1 μmol/L. 電化學研究結果錶明, THDB和TTDB的氧化還原過程有所差異, 前者負掃時在-1.016和-1.228 V處齣現兩箇還原峰, 正掃時在0.219 V處齣現一箇氧化峰, 但後者負掃時僅在-0.999 V齣現一箇還原峰, 正掃時在0.193 V齣現一箇氧化峰.
합성료수용성흔호적5,3',5'-삼광산기-2,3,4,4'-사간기탈양안식향삼납염(TTDB), 채용IR、 UV、 1H NMR화원소분석대기결구진행료표정, 병이용X사선단정연사의측정료해화합물적정체결구. 사용형광광보법검측료화합물대간기자유기적청제작용. 용순배복안법탐토료화합물적전화학성질. 실험결과표명, 5,3',5'-삼광산기-2,3,4,4'-사간기탈양안식향삼납염[C14H17Na3O18S3]속우단사정계, 공간군C2/c, a=1.422 3(4) nm, b=2.432 7(8) nm, c=1.359 6(4) nm, α=90°, β=113.044(5)°, γ=90°, Z=8, V=4.329(2) nm3, Dc=1.925 Mg/m3, F(000)=2 568, Mr=627.43, R1=0.095 0, wR2=0.264 8. TTDB적항간기자유기적양화작용우우기상응적탈양안식향THDB, 전자청제간기자유기적반수유효농도(EC50)위47.3 μmol/L, 이후자적EC50칙위53.1 μmol/L. 전화학연구결과표명, THDB화TTDB적양화환원과정유소차이, 전자부소시재-1.016화-1.228 V처출현량개환원봉, 정소시재0.219 V처출현일개양화봉, 단후자부소시부재-0.999 V출현일개환원봉, 정소시재0.193 V출현일개양화봉.