现代显示
現代顯示
현대현시
ADVANCED DISPLAY
2006年
12期
61-63
,共3页
化学干法刻蚀%刻蚀速率%坡度角%薄膜晶体管
化學榦法刻蝕%刻蝕速率%坡度角%薄膜晶體管
화학간법각식%각식속솔%파도각%박막정체관
利用化学干法刻蚀各向同性的特点,本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O2/CF4比例对Mo、SiNx和光刻胶刻蚀速率的影响.最后,选用合适的O2/CF4比例在TFT-LCD阵列基板上进行刻孔实验.
利用化學榦法刻蝕各嚮同性的特點,本文主要研究化學榦法刻蝕中不同的O2/CF4比例對Mo、SiNx和光刻膠刻蝕速率的影響.最後,選用閤適的O2/CF4比例在TFT-LCD陣列基闆上進行刻孔實驗.
이용화학간법각식각향동성적특점,본문주요연구화학간법각식중불동적O2/CF4비례대Mo、SiNx화광각효각식속솔적영향.최후,선용합괄적O2/CF4비례재TFT-LCD진렬기판상진행각공실험.
