电化学
電化學
전화학
2004年
2期
210-214
,共5页
孙建军%谢步高%阴文辉%陈国南
孫建軍%謝步高%陰文輝%陳國南
손건군%사보고%음문휘%진국남
电沉积%铜%旋转电极%微沟道%芯片%超等厚沉积
電沉積%銅%鏇轉電極%微溝道%芯片%超等厚沉積
전침적%동%선전전겁%미구도%심편%초등후침적
将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.
將刻有微溝道的芯片固定在鏇轉圓盤電極上,在鏇轉對流條件下于微溝道中電沉積銅.微溝道深度為1μm,寬度分彆為0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究瞭芯片的鏇轉、電流密度以及Cu2+濃度等對微溝道中銅沉積的影響.實驗錶明,在鏇轉對流傳質下,銅在微溝道中的沉積速率比靜止芯片時的約快2～3倍.較低的Cu2+濃度和適中的沉積電流密度更有利于超等厚沉積的形成.
장각유미구도적심편고정재선전원반전겁상,재선전대류조건하우미구도중전침적동.미구도심도위1μm,관도분별위0.35μm,0.50μm,0.70μm.연구료심편적선전、전류밀도이급Cu2+농도등대미구도중동침적적영향.실험표명,재선전대류전질하,동재미구도중적침적속솔비정지심편시적약쾌2～3배.교저적Cu2+농도화괄중적침적전류밀도경유리우초등후침적적형성.
