TiSi2在微波低噪声SiGe HBT中的应用
TiSi2재미파저조성SiGe HBT중적응용
Application of TiSi2 in Microwave Low-Noise SiGe HBT
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2006年 1期 40-43 ,共4页

    张伟%王玉东%熊小义%许军%单一林%李希有%刘爱华%钱佩信

    장위%왕옥동%웅소의%허군%단일림%리희유%류애화%전패신

    锗硅异质结双极晶体管%二硅化钛%微波%低噪声 鍺硅異質結雙極晶體管%二硅化鈦%微波%低譟聲
    타규이질결쌍겁정체관%이규화태%미파%저조성
    通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低.以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大.
    통과재SiGe HBT외기구화다정발사겁상제작TiSi2,종이사기건적고빈조성계수득도진일보강저.이PD=200mW적SiGe HBT위례,채용TiSi2공예적조성계수전형치위F=1.6dB@1.1GHz,명현저우무TiSi2공예SiGe HBT적2.0dB@1.1GHz,차빈솔월고,이자차별월대.
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