半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
2期
304-308
,共5页
太赫兹%量子级联激光器%蒙特卡洛方法
太赫玆%量子級聯激光器%矇特卡洛方法
태혁자%양자급련격광기%몽특잡락방법
THz%quantum-cascade laser%Monte Carlo method
通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电子与杂质的散射过程.发现电子与杂质的散射为电子在有源区中的注入和抽取过程提供了另外一个通道.这一过程可以影响电子在不同子带的占据数以及器件的电流.所以,在考虑基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中的电子输运过程时,需要包含电子与杂质的散射过程.
通過矇特卡洛方法研究瞭基于共振聲子散射的太赫玆量子級聯激光器中雜質散射對激光器性能的影響.使用單子帶靜態屏蔽模型來處理電子與雜質的散射過程.髮現電子與雜質的散射為電子在有源區中的註入和抽取過程提供瞭另外一箇通道.這一過程可以影響電子在不同子帶的佔據數以及器件的電流.所以,在攷慮基于共振聲子散射的太赫玆量子級聯激光器中的電子輸運過程時,需要包含電子與雜質的散射過程.
통과몽특잡락방법연구료기우공진성자산사적태혁자양자급련격광기중잡질산사대격광기성능적영향.사용단자대정태병폐모형래처리전자여잡질적산사과정.발현전자여잡질적산사위전자재유원구중적주입화추취과정제공료령외일개통도.저일과정가이영향전자재불동자대적점거수이급기건적전류.소이,재고필기우공진성자산사적태혁자양자급련격광기중적전자수운과정시,수요포함전자여잡질적산사과정.
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the single subband static screening approximation. We find that the ionized impurity scattering supplies an additional current channel across the device,and affects the electrondistribution in different subbands. We conclude that the ionized impurity scattering should be taken into account in the study of the transport properties of resonant-phonon-assisted THz QCLs.