CAJ | 학술논문

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.
이용금속유궤물화학기상침적기술재구유사절각도적람보석츤저(0～0.3°)상생장료비고의참잡GaN박막,병채용현미경、X사선쌍정연사、광형광급곽이기술대외연박막적표면형모、정체질량、광학급전학특성진행료분석.결과표명,채용구유사절각도적츤저,가이유효개선GaN외연박막적표면형모、강저위착밀도、제고GaN적정체질량급기광전특성,병차존재일개츤저최우사절각도0.2°,차시외연생장출적GaN박막적표면형모화정체질량최호.