集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法
집성항ESD이겁관적SOI LIGBT/LDMOS기건결구급기제작방법
Device Structure and Fabricating Method for SOI LIGBT/LDMOS Integrated with Anti-ESD Diode
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 z1期 279-282 ,共4页

    张海鹏%汪沁%孙玲玲%高明煜%李文钧%吕幼华%刘国华%汪洁

    장해붕%왕심%손령령%고명욱%리문균%려유화%류국화%왕길

    ESD%SOI%LIGBT/LDMOS%器件结构%工艺%PIC ESD%SOI%LIGBT/LDMOS%器件結構%工藝%PIC
    ESD%SOI%LIGBT/LDMOS%기건결구%공예%PIC
    为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
    위탐색여국내VLSI제조공예겸용적신형SOI LIGBT/LDMOS기건여PIC적설계이론화공예실현방법,수차제출함유항ESD이겁관적집성SOI LIGBT/LDMOS기건절면결구화판도결구,병근거기건결구급출료조성부재시기건적대신호등효전로.탐토료해결구기건적VLSI공예실현방법,설계료공예류정.토론료설계항ESD이겁관상관삼수소수고필적주요인소,병급출료결구실현적공예공제요구.
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