人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
5期
1127-1131
,共5页
冯磊%罗士雨%黄涛华%林辉%滕浩%汪洪%周圣明
馮磊%囉士雨%黃濤華%林輝%滕浩%汪洪%週聖明
풍뢰%라사우%황도화%림휘%등호%왕홍%주골명
TiO2%射频磁控溅射%氮掺杂%X射线光电子能谱
TiO2%射頻磁控濺射%氮摻雜%X射線光電子能譜
TiO2%사빈자공천사%담참잡%X사선광전자능보
利用射频磁控溅射法室温下在Si(100)衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜,并且采用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射光谱对薄膜进行了表征.XRD结果表明在纯Ar和N2(33.3%)/Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相,薄膜结晶性良好,呈高度(211)择优取向,而在N2(50.0%)/Ar下制备的薄膜结晶性明显变差;对于N掺杂的TiO2薄膜,XPS表明部分N原子进入TiO2晶格,并且以N-Ti-O、N-O键以及间隙式N原子形式存在;透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移.
利用射頻磁控濺射法室溫下在Si(100)襯底上製備瞭N摻雜的TiO2薄膜,併且採用x射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)和透射光譜對薄膜進行瞭錶徵.XRD結果錶明在純Ar和N2(33.3%)/Ar氣氛下製備的TiO2-xNx薄膜均為單一的金紅石相,薄膜結晶性良好,呈高度(211)擇優取嚮,而在N2(50.0%)/Ar下製備的薄膜結晶性明顯變差;對于N摻雜的TiO2薄膜,XPS錶明部分N原子進入TiO2晶格,併且以N-Ti-O、N-O鍵以及間隙式N原子形式存在;透射光譜錶明摻N後的TiO2薄膜吸收邊髮生瞭紅移.
이용사빈자공천사법실온하재Si(100)츤저상제비료N참잡적TiO2박막,병차채용x사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)화투사광보대박막진행료표정.XRD결과표명재순Ar화N2(33.3%)/Ar기분하제비적TiO2-xNx박막균위단일적금홍석상,박막결정성량호,정고도(211)택우취향,이재N2(50.0%)/Ar하제비적박막결정성명현변차;대우N참잡적TiO2박막,XPS표명부분N원자진입TiO2정격,병차이N-Ti-O、N-O건이급간극식N원자형식존재;투사광보표명참N후적TiO2박막흡수변발생료홍이.
