稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2009年
z1期
197-200
,共4页
陈彦%颜灵光%李冰%马军德
陳彥%顏靈光%李冰%馬軍德
진언%안령광%리빙%마군덕
LaCl3-AlCl3-EMIC%计时电流法%成核机理%表面形貌
LaCl3-AlCl3-EMIC%計時電流法%成覈機理%錶麵形貌
LaCl3-AlCl3-EMIC%계시전류법%성핵궤리%표면형모
将氰化镧溶解到AlCl3-EMIC室温离子液体(N=0.667)中,制备氯化镧饱和的AlCl3-EMIC离子液体;采用循环伏安法、计时电流法研究了在饱和LaCl3-AlCl3-EMIC中钨电极上的阴极过程和成核机理;并在不同的电流密度下制备了镀层,利用扫描电镜对镀层表面形貌进行了分析.结果表明:氯化镧的加入使得铝的沉积电位负移,由拟合曲线可知其成核过程为三维瞬时形核,在12 mA/cm2的电流密度下可以获得光滑致密的镀层,氯化镧的加入可以细化晶粒.
將氰化鑭溶解到AlCl3-EMIC室溫離子液體(N=0.667)中,製備氯化鑭飽和的AlCl3-EMIC離子液體;採用循環伏安法、計時電流法研究瞭在飽和LaCl3-AlCl3-EMIC中鎢電極上的陰極過程和成覈機理;併在不同的電流密度下製備瞭鍍層,利用掃描電鏡對鍍層錶麵形貌進行瞭分析.結果錶明:氯化鑭的加入使得鋁的沉積電位負移,由擬閤麯線可知其成覈過程為三維瞬時形覈,在12 mA/cm2的電流密度下可以穫得光滑緻密的鍍層,氯化鑭的加入可以細化晶粒.
장청화란용해도AlCl3-EMIC실온리자액체(N=0.667)중,제비록화란포화적AlCl3-EMIC리자액체;채용순배복안법、계시전류법연구료재포화LaCl3-AlCl3-EMIC중오전겁상적음겁과정화성핵궤리;병재불동적전류밀도하제비료도층,이용소묘전경대도층표면형모진행료분석.결과표명:록화란적가입사득려적침적전위부이,유의합곡선가지기성핵과정위삼유순시형핵,재12 mA/cm2적전류밀도하가이획득광활치밀적도층,록화란적가입가이세화정립.
