半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
254-257
,共4页
王中健%夏超%徐大伟%程新红%宋朝瑞%俞跃辉
王中健%夏超%徐大偉%程新紅%宋朝瑞%俞躍輝
왕중건%하초%서대위%정신홍%송조서%유약휘
绝缘体上硅%横向扩散金属氧化物半导体%击穿电压%线性渐变掺杂%注氧键合
絕緣體上硅%橫嚮擴散金屬氧化物半導體%擊穿電壓%線性漸變摻雜%註氧鍵閤
절연체상규%횡향확산금속양화물반도체%격천전압%선성점변참잡%주양건합
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理.通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性.在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond) SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构.为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄.流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9V,计算开态电阻为50 Ω·mm2.
針對600 V以上SOI高壓器件的研製需要,分析瞭SOI高壓器件在縱嚮和橫嚮上的耐壓原理.通過比較提齣薄膜SOI上實現高擊穿電壓方案,併通過倣真預言其可行性.在埋氧層為3μm,頂層硅為1.5μm的註氧鍵閤(Simbond) SOI襯底上開髮瞭與CMOS工藝兼容的製備流程.為實現均一的橫嚮電場,設計瞭具有線性漸變摻雜60μm漂移區的LDMOS結構.為提高縱嚮耐壓,利用場氧技術對硅膜進行瞭進一步減薄.流片實驗的測試結果錶明,器件關態擊穿電壓可達600 V以上(實測832 V),開態特性正常,閾值電壓提取為1.9V,計算開態電阻為50 Ω·mm2.
침대600 V이상SOI고압기건적연제수요,분석료SOI고압기건재종향화횡향상적내압원리.통과비교제출박막SOI상실현고격천전압방안,병통과방진예언기가행성.재매양층위3μm,정층규위1.5μm적주양건합(Simbond) SOI츤저상개발료여CMOS공예겸용적제비류정.위실현균일적횡향전장,설계료구유선성점변참잡60μm표이구적LDMOS결구.위제고종향내압,이용장양기술대규막진행료진일보감박.류편실험적측시결과표명,기건관태격천전압가체600 V이상(실측832 V),개태특성정상,역치전압제취위1.9V,계산개태전조위50 Ω·mm2.
