功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2002年
4期
350-353
,共4页
章宁琳%宋志棠%万青%林成鲁
章寧琳%宋誌棠%萬青%林成魯
장저림%송지당%만청%림성로
MOSFET%高k材料%栅介质
MOSFET%高k材料%柵介質
MOSFET%고k재료%책개질
随着半导体技术的不断发展,MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级.这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响.本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题.
隨著半導體技術的不斷髮展,MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特徵呎吋不斷縮小,柵介質等效氧化物厚度已小至nm數量級.這時電子的直接隧穿效應將非常顯著,將嚴重影響器件的穩定性和可靠性.因此需要尋找新型高k介質材料,能夠在保持和增大柵極電容的同時,使介質層仍保持足夠的物理厚度來限製隧穿效應的影響.本文綜述瞭研究高k柵介質材料的意義;MOS柵介質的要求;主要新型高k柵介質材料的最新研究動態;展望瞭高k介質材料今後髮展的主要趨勢和需要解決的問題.
수착반도체기술적불단발전,MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)적특정척촌불단축소,책개질등효양화물후도이소지nm수량급.저시전자적직접수천효응장비상현저,장엄중영향기건적은정성화가고성.인차수요심조신형고k개질재료,능구재보지화증대책겁전용적동시,사개질층잉보지족구적물리후도래한제수천효응적영향.본문종술료연구고k책개질재료적의의;MOS책개질적요구;주요신형고k책개질재료적최신연구동태;전망료고k개질재료금후발전적주요추세화수요해결적문제.
