固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
438-441,488
,共5页
刘海琪%王泉慧%焦刚%任春江%陈堂胜
劉海琪%王泉慧%焦剛%任春江%陳堂勝
류해기%왕천혜%초강%임춘강%진당성
背面通孔%氮化镓/碳化硅%ICP刻蚀%可靠性
揹麵通孔%氮化鎵/碳化硅%ICP刻蝕%可靠性
배면통공%담화가/탄화규%ICP각식%가고성
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析.通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75 μm左右,保持片内不均匀性在4％以内；利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物.随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4A工作电流175℃节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化.
介紹瞭改進GaN功率MMIC揹麵通孔工藝的相關方法,併對通孔進行瞭可靠性方麵的測試與分析.通過優化機械研磨的方法,減薄圓片至75 μm左右,保持片內不均勻性在4％以內；利用ICP對基于SiC襯底的GaN功率MMIC進行瞭揹麵通孔工藝的優化,減少瞭孔底的柱狀生成物.隨後的可靠性測試測得圓片通孔的平均電阻值為6.3 mΩ,平均電感值為17.2 nH;對通孔樣品在0.4A工作電流175℃節溫下進行瞭工作壽命試驗,200 h後通孔特性無明顯退化.
개소료개진GaN공솔MMIC배면통공공예적상관방법,병대통공진행료가고성방면적측시여분석.통과우화궤계연마적방법,감박원편지75 μm좌우,보지편내불균균성재4％이내；이용ICP대기우SiC츤저적GaN공솔MMIC진행료배면통공공예적우화,감소료공저적주상생성물.수후적가고성측시측득원편통공적평균전조치위6.3 mΩ,평균전감치위17.2 nH;대통공양품재0.4A공작전류175℃절온하진행료공작수명시험,200 h후통공특성무명현퇴화.
