半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
7期
662-666
,共5页
蒋伟荣%周星飞%施斌%胡冬枝%刘晓晗%蒋最敏%张翔九
蔣偉榮%週星飛%施斌%鬍鼕枝%劉曉晗%蔣最敏%張翔九
장위영%주성비%시빈%호동지%류효함%장최민%장상구
Ge/Si互扩散%分子束外延%喇曼光谱%表面活化剂
Ge/Si互擴散%分子束外延%喇曼光譜%錶麵活化劑
Ge/Si호확산%분자속외연%나만광보%표면활화제
利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散,在650℃下也没有观察到明显的界面互混.没有Sb时,在500℃下已存在一定程度的界面互混,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强.这种互扩散的差别与成岛生长时应变释放有关.
利用喇曼光譜研究瞭不同溫度下在Si(100)襯底上異質外延Ge層由于擴散引起的Ge/Si異質結界麵互混以及錶麵活化劑Sb對其的影響.結果錶明錶麵活化劑Sb的存在大大抑製瞭界麵的互擴散,在650℃下也沒有觀察到明顯的界麵互混.沒有Sb時,在500℃下已存在一定程度的界麵互混,界麵互混程度隨外延層生長溫度的增高而增彊.這種互擴散的差彆與成島生長時應變釋放有關.
이용나만광보연구료불동온도하재Si(100)츤저상이질외연Ge층유우확산인기적Ge/Si이질결계면호혼이급표면활화제Sb대기적영향.결과표명표면활화제Sb적존재대대억제료계면적호확산,재650℃하야몰유관찰도명현적계면호혼.몰유Sb시,재500℃하이존재일정정도적계면호혼,계면호혼정도수외연층생장온도적증고이증강.저충호확산적차별여성도생장시응변석방유관.
