人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
5期
770-775
,共6页
庄乃锋%赵斌%胡晓琳%陈晶玲%高绍康%陈建中
莊迺鋒%趙斌%鬍曉琳%陳晶玲%高紹康%陳建中
장내봉%조빈%호효림%진정령%고소강%진건중
GdVO4晶体%偏振吸收光谱%荧光光谱%激光损伤阈值
GdVO4晶體%偏振吸收光譜%熒光光譜%激光損傷閾值
GdVO4정체%편진흡수광보%형광광보%격광손상역치
采用提拉法(Czochralski)生长出优质的GdVO4和Yb:GdVO4晶体,其中纯GdVO4晶体具有较高的透过率,可达81%.晶体在室温下的偏振吸收光谱与非偏振荧光光谱表明,Yb:GdVO4晶体是一种具有较大的吸收半峰宽和荧光半峰宽的激光晶体,分别为44～52nm和40～46nm;随着掺杂浓度增大,π偏振吸收系数呈现饱和趋势,且荧光峰的位置出现了红移.此外,还采用Nd:YAG激光器测试了晶体的激光损伤阈值,实验表明,随着Yb3+掺杂浓度从4.1at%增加到22.9at%,激光损伤阈值也相应地从19.9×109W/cm2逐渐减小到2.79×109W/cm2.
採用提拉法(Czochralski)生長齣優質的GdVO4和Yb:GdVO4晶體,其中純GdVO4晶體具有較高的透過率,可達81%.晶體在室溫下的偏振吸收光譜與非偏振熒光光譜錶明,Yb:GdVO4晶體是一種具有較大的吸收半峰寬和熒光半峰寬的激光晶體,分彆為44～52nm和40～46nm;隨著摻雜濃度增大,π偏振吸收繫數呈現飽和趨勢,且熒光峰的位置齣現瞭紅移.此外,還採用Nd:YAG激光器測試瞭晶體的激光損傷閾值,實驗錶明,隨著Yb3+摻雜濃度從4.1at%增加到22.9at%,激光損傷閾值也相應地從19.9×109W/cm2逐漸減小到2.79×109W/cm2.
채용제랍법(Czochralski)생장출우질적GdVO4화Yb:GdVO4정체,기중순GdVO4정체구유교고적투과솔,가체81%.정체재실온하적편진흡수광보여비편진형광광보표명,Yb:GdVO4정체시일충구유교대적흡수반봉관화형광반봉관적격광정체,분별위44～52nm화40～46nm;수착참잡농도증대,π편진흡수계수정현포화추세,차형광봉적위치출현료홍이.차외,환채용Nd:YAG격광기측시료정체적격광손상역치,실험표명,수착Yb3+참잡농도종4.1at%증가도22.9at%,격광손상역치야상응지종19.9×109W/cm2축점감소도2.79×109W/cm2.
