半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
595-600
,共6页
解析方法%简化模型%SEM估计方法%DVS%ABB
解析方法%簡化模型%SEM估計方法%DVS%ABB
해석방법%간화모형%SEM고계방법%DVS%ABB
结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的优化Vdd,Vbs值中之一为常数,避免了解析方法中的超越方程求解.文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法SEM.0.18μm和0.07μm工艺参数下模拟试验表明,采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近,最大误差为2%和5%,平均误差为0.8%和1%.模拟实验表明本文的模型及方法在保证优化精度的基础上减小了计算复杂度,适用于深亚微米下的功耗优化及评估.
結閤DVS和ABB技術,同時調整工作電壓Vdd和襯底偏置電壓Vbs的方法能有效降低深亞微米功耗.在解析方法的基礎上提齣瞭已知頻率下功耗優化的Vdd,Vbs簡化模型.模型中任意頻率下對應的優化Vdd,Vbs值中之一為常數,避免瞭解析方法中的超越方程求解.文章進一步對不同電容時簡化模型中的參數提齣瞭近似估計方法SEM.0.18μm和0.07μm工藝參數下模擬試驗錶明,採用簡化模型以及SEM估計方法得到的優化功耗值與解析方法得到的結果十分接近,最大誤差為2%和5%,平均誤差為0.8%和1%.模擬實驗錶明本文的模型及方法在保證優化精度的基礎上減小瞭計算複雜度,適用于深亞微米下的功耗優化及評估.
결합DVS화ABB기술,동시조정공작전압Vdd화츤저편치전압Vbs적방법능유효강저심아미미공모.재해석방법적기출상제출료이지빈솔하공모우화적Vdd,Vbs간화모형.모형중임의빈솔하대응적우화Vdd,Vbs치중지일위상수,피면료해석방법중적초월방정구해.문장진일보대불동전용시간화모형중적삼수제출료근사고계방법SEM.0.18μm화0.07μm공예삼수하모의시험표명,채용간화모형이급SEM고계방법득도적우화공모치여해석방법득도적결과십분접근,최대오차위2%화5%,평균오차위0.8%화1%.모의실험표명본문적모형급방법재보증우화정도적기출상감소료계산복잡도,괄용우심아미미하적공모우화급평고.
