半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
5期
778-782
,共5页
娄利飞%杨银堂%李跃进%张萍
婁利飛%楊銀堂%李躍進%張萍
루리비%양은당%리약진%장평
锆钛酸铅%压电薄膜%微传感器%湿法化学刻蚀
鋯鈦痠鉛%壓電薄膜%微傳感器%濕法化學刻蝕
고태산연%압전박막%미전감기%습법화학각식
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础.
對硅基鋯鈦痠鉛(PZT)壓電薄膜微傳感器進行瞭結構和版圖設計.根據MEMS加工工藝和標準硅基IC工藝的特點,穫得瞭硅基PZT壓電薄膜微懸臂樑結構繫統工藝流程中的關鍵工藝技術和典型工藝條件.對PZT壓電薄膜的製備和微細圖形化進行瞭較為詳細的實驗研究,最後成功地製備齣硅基PZT壓電薄膜微傳感器樣品.這對集成化芯片繫統的進一步髮展打下瞭良好的實驗基礎.
대규기고태산연(PZT)압전박막미전감기진행료결구화판도설계.근거MEMS가공공예화표준규기IC공예적특점,획득료규기PZT압전박막미현비량결구계통공예류정중적관건공예기술화전형공예조건.대PZT압전박막적제비화미세도형화진행료교위상세적실험연구,최후성공지제비출규기PZT압전박막미전감기양품.저대집성화심편계통적진일보발전타하료량호적실험기출.
