强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2008年
1期
140-142
,共3页
祁康成%董建康%林祖伦%曹贵川%成建波
祁康成%董建康%林祖倫%曹貴川%成建波
기강성%동건강%림조륜%조귀천%성건파
场发射阵列%栅极孔%局部氧化%湿法刻蚀
場髮射陣列%柵極孔%跼部氧化%濕法刻蝕
장발사진렬%책겁공%국부양화%습법각식
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列.硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加.同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2 刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度.通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列.
採用硅的跼部氧化技術以及濕法刻蝕技術,利用2.6 μm的光刻掩模闆在n型硅片上形成瞭柵極孔徑為1 μm的場髮射陰極的柵極空腔陣列,實現瞭用大陣點呎吋的柵極掩模闆製備較小呎吋柵孔陣列.硅的濕法刻蝕溶液採用各嚮同性的硝痠和氫氟痠混閤溶液,刻蝕後空腔的深度和寬度均隨刻蝕時間線性增加.同時,由于刻蝕溶液具有較高的Si/SiO2 刻蝕選擇比,柵極孔徑隨刻蝕時間增大的速度遠低于深度和寬度增大的速度,柵極孔徑主要取決于掩模的呎吋和氧化層的厚度.通過選擇掩模闆的呎吋以及氧化層的厚度,採用跼部氧化技術和濕法刻蝕技術能夠製備齣微米或亞微米的場髮射陰極的柵極空腔陣列.
채용규적국부양화기술이급습법각식기술,이용2.6 μm적광각엄모판재n형규편상형성료책겁공경위1 μm적장발사음겁적책겁공강진렬,실현료용대진점척촌적책겁엄모판제비교소척촌책공진렬.규적습법각식용액채용각향동성적초산화경불산혼합용액,각식후공강적심도화관도균수각식시간선성증가.동시,유우각식용액구유교고적Si/SiO2 각식선택비,책겁공경수각식시간증대적속도원저우심도화관도증대적속도,책겁공경주요취결우엄모적척촌화양화층적후도.통과선택엄모판적척촌이급양화층적후도,채용국부양화기술화습법각식기술능구제비출미미혹아미미적장발사음겁적책겁공강진렬.
