发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
5期
762-766
,共5页
王申伟%衣立新%丁甲成%高靖欣%王永生
王申偉%衣立新%丁甲成%高靖訢%王永生
왕신위%의립신%정갑성%고정흔%왕영생
CeO2%光致发光%能量传递
CeO2%光緻髮光%能量傳遞
CeO2%광치발광%능량전체
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰.结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由02p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 mn左右的发光峰则来自于SiO2:薄膜的缺陷发光.样品选择900～1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火.研究结果显示:在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大.
利用電子束蒸髮技術在p型硅襯底上沉積瞭200 nm厚的CeO2薄膜樣品,將樣品置于弱還原氣氛中高溫退火後,觀察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右齣現三箇明顯的髮光峰.結閤激髮光譜、吸收光譜以及XRD分析錶明:CeO2薄膜在高溫下容易髮生失氧反應,齣現Ce4+→Ce3+離子轉變,Ce3+離子在紫外光的激髮下,電子由02p躍遷到5d能級,再由5d能級嚮4f能級躍遷,從而產生彊烈的藍紫外髮射,而445 mn左右的髮光峰則來自于SiO2:薄膜的缺陷髮光.樣品選擇900～1 200℃不同溫度退火,併且在1 200℃下進行瞭不同時間的退火.研究結果顯示:在1 200℃下進行2h的退火,薄膜髮光彊度達到最大.
이용전자속증발기술재p형규츤저상침적료200 nm후적CeO2박막양품,장양품치우약환원기분중고온퇴화후,관찰도박막재385,418 nm이급445 nm좌우출현삼개명현적발광봉.결합격발광보、흡수광보이급XRD분석표명:CeO2박막재고온하용역발생실양반응,출현Ce4+→Ce3+리자전변,Ce3+리자재자외광적격발하,전자유02p약천도5d능급,재유5d능급향4f능급약천,종이산생강렬적람자외발사,이445 mn좌우적발광봉칙래자우SiO2:박막적결함발광.양품선택900～1 200℃불동온도퇴화,병차재1 200℃하진행료불동시간적퇴화.연구결과현시:재1 200℃하진행2h적퇴화,박막발광강도체도최대.
