液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2012年
2期
177-181
,共5页
史高飞%牛红林%鲁文武%胡俊涛
史高飛%牛紅林%魯文武%鬍俊濤
사고비%우홍림%로문무%호준도
有机电致发光器件%工艺流程%绿光%光电性能
有機電緻髮光器件%工藝流程%綠光%光電性能
유궤전치발광기건%공예류정%록광%광전성능
用真空热蒸镀的方法制备了绿光有机电致发光器件,并对其工艺流程进行了详细的描述.器件结构为ITO/MoO3(x nm)/N,N' diphenyl-N,N'- bis(1 naphthyl)( 1,18- biphenyl)-4,4-diamine(NPB) (40 nm)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm),其中x=0,5 nm.实验中,对ITO基片进行氧等离子体表面处理,能够有效减小ITO表面的接触角.通过对器件的光电性能测试,研究了MoO3作空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响.实验结果表明,空穴注入层MoO3的最高占据分子轨道(HOMO)能级较好的与ITO)功函数匹配,降低了空穴注入势垒,提高了器件的发光亮度和效率.当外加电压小于10V时,器件的电流密度随外加电压的增加而增加,但变化不明显；当外加电压大于10V时,器件的电流密度明显增强,发光色度几乎不随驱动电压的改变而改变,色坐标稳定在(0.36,0.55)附近.
用真空熱蒸鍍的方法製備瞭綠光有機電緻髮光器件,併對其工藝流程進行瞭詳細的描述.器件結構為ITO/MoO3(x nm)/N,N' diphenyl-N,N'- bis(1 naphthyl)( 1,18- biphenyl)-4,4-diamine(NPB) (40 nm)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm),其中x=0,5 nm.實驗中,對ITO基片進行氧等離子體錶麵處理,能夠有效減小ITO錶麵的接觸角.通過對器件的光電性能測試,研究瞭MoO3作空穴註入層對有機電緻髮光器件性能的影響.實驗結果錶明,空穴註入層MoO3的最高佔據分子軌道(HOMO)能級較好的與ITO)功函數匹配,降低瞭空穴註入勢壘,提高瞭器件的髮光亮度和效率.噹外加電壓小于10V時,器件的電流密度隨外加電壓的增加而增加,但變化不明顯；噹外加電壓大于10V時,器件的電流密度明顯增彊,髮光色度幾乎不隨驅動電壓的改變而改變,色坐標穩定在(0.36,0.55)附近.
용진공열증도적방법제비료록광유궤전치발광기건,병대기공예류정진행료상세적묘술.기건결구위ITO/MoO3(x nm)/N,N' diphenyl-N,N'- bis(1 naphthyl)( 1,18- biphenyl)-4,4-diamine(NPB) (40 nm)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm),기중x=0,5 nm.실험중,대ITO기편진행양등리자체표면처리,능구유효감소ITO표면적접촉각.통과대기건적광전성능측시,연구료MoO3작공혈주입층대유궤전치발광기건성능적영향.실험결과표명,공혈주입층MoO3적최고점거분자궤도(HOMO)능급교호적여ITO)공함수필배,강저료공혈주입세루,제고료기건적발광량도화효솔.당외가전압소우10V시,기건적전류밀도수외가전압적증가이증가,단변화불명현；당외가전압대우10V시,기건적전류밀도명현증강,발광색도궤호불수구동전압적개변이개변,색좌표은정재(0.36,0.55)부근.
